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- 型号： IPB025N08N3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB025N08N3 G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB025N08N3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB025N08N3 G价格参考以及InfineonIPB025N08N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB025N08N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB025N08N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB025N08N3 G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14200pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 206nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB025N08N3 GCT |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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